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活性碳的恒溫吸附模式

來源:皓泉水處理 作者:佚名 日期:14-11-02 瀏覽:

  所謂活性碳恒溫吸附曲線(adsorptionisotherm)是指定溫下,某氣體之吸附量與壓力(或平衡濃度)達到平衡時(Ps為吸附物分壓,而P0為在相同溫度下之飽和壓力),將吸附量對正;瘔毫/P0之關(guān)係所繪製成之曲線圖。不過等溫線的型式也隨吸附劑性質(zhì)不同而有所差異,許多學者研究了不同的氣體被活性碳吸附劑吸附后,呈現(xiàn)各種不同型態(tài)之曲線,Brunaur,Deming,Deming和Teller(簡稱BDDT)首先于1940年將其歸類為五種形式,不過無論是哪一種型式,其蒸氣吸附量是隨著蒸氣分壓上升而增加,然后在某一點達到單層完全吸附之量,再漸漸成為多層覆蓋,終至轉(zhuǎn)變成為凝結(jié)相,之后Gregg更將其細分為六種形式(圖六)。

  TypeⅠ:為Langmuir吸附,具有以微孔為主之物質(zhì)所產(chǎn)生,例如沸石(Zeolite)活性碳等均屬于此類。會產(chǎn)生此種現(xiàn)象乃是由于相對壓力值遠小于1時,已將所有孔隙填滿,故漸近線代表之值是相對于微孔隙的體積,而不是單層吸附量。一般來說,化學吸附會產(chǎn)生此類型之等溫吸附曲線。

  TypeⅡ:此類通常稱為Sigmoid或S型恒溫吸附曲線,這種型式的恒溫線常發(fā)生在無孔性結(jié)構(gòu)物質(zhì)。在Ps/P0值趨近于1時會產(chǎn)生毛細及孔隙冷凝(Capillaryandporecondensation)之物理吸附現(xiàn)象。而圖中曲線中之B點則表示單層之完全覆蓋量為多層分子吸附,屬于無孔隙或大于大孔之物質(zhì)所產(chǎn)生。

  TypeⅢ:為單層分子吸附尚未完成前,即產(chǎn)生多層分子吸附,此現(xiàn)象是由于吸附質(zhì)間的吸引力,大于對吸附劑之吸引力所致。屬于非多孔性之物質(zhì)所產(chǎn)生。

  TypeⅣ:當Ps/P0值(0.1至0.3)狠低時(為單層分子吸附),其圖形即與第二種吸附型式相似。若當Ps/P0值升高時,孔洞中就會發(fā)生毛細管凝結(jié)(Capillarycondensation)情形,使吸附量迅速增高(為多層分子吸附)產(chǎn)生hysteresisloops現(xiàn)象,屬于具有以活性碳中孔為主之物質(zhì)所產(chǎn)生。

  一般工業(yè)上使用之吸附劑,常屬于這種類型的活性碳,其孔洞凝結(jié)曲線可用來分析孔徑分佈。

  TypeⅤ:與TypeⅢ相同,但是屬于具有微孔或中孔為主之物質(zhì)所產(chǎn)生。

  TypeⅥ:屬階段式等溫吸附曲線,形成一層層完整的吸附層,通常為非常均相及無孔隙之物質(zhì)所產(chǎn)生。

  活性炭吸附是一種極為復(fù)雜的界面化學現(xiàn)象,與吸附劑表面對吸附質(zhì)之親和力作用有關(guān);钚蕴嘉劫|(zhì)恒溫吸附曲線可以提供下列重要訊息:

  (1)了解吸附質(zhì)之吸附特性。

  (2)獲得平衡吸附量,可藉以評估活性炭吸附劑之使用量。

  (3)改變吸附質(zhì)濃度獲得相對應(yīng)之吸附量,亦即當吸附質(zhì)濃度改變時,其對吸附過程之影響。

  此外,活性碳恒溫吸附模式常被用來描述氣體吸附于固體表面之現(xiàn)象。Langmuir于1918年提出一理論描述氣體分子吸附在固體表面之現(xiàn)象,Langmuirisotherm方程式是描述單層吸附(monolayeradsorption)最重要的模式,而該吸附理論目前已成功運用在許多實際的吸附程序中。此方程式適用于較低濃度之溶液,而在溶液濃度較高時則不適用。

  Freundlichisotherm方程式係由Freundlich于1907年所提出,他發(fā)現(xiàn)在不同濃度下,單位質(zhì)量吸附劑之吸附量與溶劑濃度之比例并非為一常數(shù),因此為符合實驗數(shù)據(jù)便提出一經(jīng)驗式,此方程式不遵守Langmuir方程式,適用于高濃度吸附現(xiàn)象之描述,對低濃度則較不符合實際的吸附現(xiàn)象,此與Langmuirisotherm方程式之適用范圍恰好相反。

  Brunauer,Emmett和Teller曾于1938年針對氣體的多層吸附開發(fā)出一套新的吸附模式,且該模式已成功應(yīng)用于許多實驗數(shù)據(jù)之描述。BETisotherm方程式與Langmuirisotherm方程式類似,皆假設(shè)吸附劑表面有一般及局部吸附位置,而某一位置之吸附并不影響鄰近位置的吸附效應(yīng),此外亦假設(shè)吸附熱控制第一層之吸附,被吸附物之凝結(jié)熱則控制其他各層之吸附。

  Toth吸附方程式則是Toth于1962年所提出,發(fā)現(xiàn)在均勻的吸附表面時,可由Langmuir方程式來表示,而在非均勻的吸附表面時,可由Freundlich方程式來表示。RedlichandPetersonisotherm方程式則是結(jié)合Freundlichisotherm受低濃度之限制和Langmuirisotherm受高濃度之限制,而提出較合理的經(jīng)驗方程式。茲將上述恒溫吸附模式及相關(guān)系數(shù)整理

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